Gedrewe konfigurasie: Low-Side, Kanaal tipe: Independent, Aantal bestuurders: 2, Hek tipe: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 10V ~ 25V,
Gedrewe konfigurasie: Low-Side, Kanaal tipe: Independent, Aantal bestuurders: 3, Hek tipe: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 10V ~ 25V,
Gedrewe konfigurasie: Low-Side, Aantal bestuurders: 1, Hek tipe: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 4.5 ~ 5.5V,
Gedrewe konfigurasie: Half-Bridge, Kanaal tipe: Independent, Aantal bestuurders: 2, Hek tipe: N-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 3V ~ 5.5V,
Gedrewe konfigurasie: High-Side, Kanaal tipe: Single, Aantal bestuurders: 1, Hek tipe: N-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 2.7V ~ 5.5V,
Gedrewe konfigurasie: Half-Bridge, Kanaal tipe: Independent, Aantal bestuurders: 2, Hek tipe: N-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 10V ~ 18V, Logiese spanning - VIL, VIH: 1V, 2.6V,
Gedrewe konfigurasie: Half-Bridge, Kanaal tipe: Independent, Aantal bestuurders: 2, Hek tipe: IGBT, N-Channel MOSFET, Spanning - Voeding: 10V ~ 18V, Logiese spanning - VIL, VIH: 1V, 2.6V,