Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Diodes - Zener - Enkellopend

  • Tuiste
  •  
  • Diodes - Zener - Enkellopend
TSZU52C6V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C6V2 RGG

Deelvoorraad: 210

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C30 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C30 RGG

Deelvoorraad: 157

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 23V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C4V3 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C4V3 RGG

Deelvoorraad: 162

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 95 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C6V8 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C6V8 RGG

Deelvoorraad: 167

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 8 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 3V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C5V6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C5V6 RGG

Deelvoorraad: 158

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C8V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C8V2 RGG

Deelvoorraad: 208

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 8.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 7 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C10 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C10 RGG

Deelvoorraad: 145

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C2V2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V2 RGG

Deelvoorraad: 188

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C20 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C20 RGG

Deelvoorraad: 216

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 20V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 50 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 15V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C11 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C11 RGG

Deelvoorraad: 182

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 8.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C33 RGG

Deelvoorraad: 160

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 33V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 25V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C2V0 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V0 RGG

Deelvoorraad: 171

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C2V4 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C2V4 RGG

Deelvoorraad: 199

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.4V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 85 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C24 RGG

Deelvoorraad: 158

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 18V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C3V6 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C3V6 RGG

Deelvoorraad: 189

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 95 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 15µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C36 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C36 RGG

Deelvoorraad: 173

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 27V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C7V5 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C7V5 RGG

Deelvoorraad: 175

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 7 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
TSZU52C39 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZU52C39 RGG

Deelvoorraad: 171

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 39V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 29V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
MMSZ5234B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5234B RHG

Deelvoorraad: 240

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 7 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 4V,

Wenslys
MTZJ11SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SC R0G

Deelvoorraad: 154

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 8V,

Wenslys
ZM4749A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4749A L0G

Deelvoorraad: 166

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 25 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Wenslys
TSZL52C30 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C30 RWG

Deelvoorraad: 155

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 23V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
MTZJ3V3SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V3SB R0G

Deelvoorraad: 249

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.43V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 120 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 20µA @ 1V,

Wenslys
ZM4733A L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

ZM4733A L0G

Deelvoorraad: 210

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 7 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 10µA @ 1V,

Wenslys
UDZS3V6B RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

UDZS3V6B RRG

Deelvoorraad: 189

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.6V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 4.5µA @ 1V,

Wenslys
MTZJ5V1SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ5V1SA R0G

Deelvoorraad: 244

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.94V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 1.5V,

Wenslys
MTZJ2V2SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ2V2SB R0G

Deelvoorraad: 240

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.32V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 120µA @ 700mV,

Wenslys
MTZJ15SC R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ15SC R0G

Deelvoorraad: 177

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 14.72V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 11V,

Wenslys
MMSZ5262B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5262B RHG

Deelvoorraad: 183

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 51V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 125 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 39V,

Wenslys
MTZJ39SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SB R0G

Deelvoorraad: 187

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36.28V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 85 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 30V,

Wenslys
TSZL52C2V4 RWG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSZL52C2V4 RWG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.4V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 85 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
MMSZ5225B RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

MMSZ5225B RHG

Deelvoorraad: 210

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 29 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 50µA @ 1V,

Wenslys
MTZJ3V0SA R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ3V0SA R0G

Deelvoorraad: 235

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.96V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 120 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 50µA @ 1V,

Wenslys
MTZJ9V1SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ9V1SB R0G

Deelvoorraad: 210

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 8.79V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 25 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 500nA @ 6V,

Wenslys
MTZJ39SD R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ39SD R0G

Deelvoorraad: 167

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 37.58V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 85 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 30V,

Wenslys
MTZJ11SB R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MTZJ11SB R0G

Deelvoorraad: 200

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10.78V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 8V,

Wenslys