Transistors - FET's, MOSFET's - Enkellopen

Tuiste
Transistors - FET's, MOSFET's - Enkellopen

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K202FE,LF

Deelvoorraad: 167951

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4V,

Wenslys

TPCA8010-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12LQM

Deelvoorraad: 643

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 200V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wenslys

TPC8042(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8042(TE12L,Q,M)

Deelvoorraad: 758

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 9A, 10V,

Wenslys

TPC8113(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8113(TE12L,Q)

Deelvoorraad: 625

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wenslys

TPC8051-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8051-H(TE12L,Q)

Deelvoorraad: 764

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 80V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wenslys

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J216FE,LF

Deelvoorraad: 13269

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 12V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wenslys

TPCA8005-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8005-H(TE12LQM

Deelvoorraad: 644

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Wenslys

TPCA8105(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8105(TE12L,Q,M

Deelvoorraad: 711

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 12V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wenslys

TPCA8036-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8036-H(TE12L,Q

Deelvoorraad: 729

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 19A, 10V,

Wenslys

TPC8014(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

Deelvoorraad: 630

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wenslys

TPCA8008-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12LQM

Deelvoorraad: 655

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 250V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

Wenslys

TPCA8012-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8012-H(TE12LQM

Deelvoorraad: 634

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK50P04M1(T6RSS-Q)

Deelvoorraad: 185151

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 40V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wenslys

TPCP8003-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8003-H(TE85L,F

Deelvoorraad: 798

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 100V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.1A, 10V,

Wenslys

TPC8036-H(TE12L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8036-H(TE12L,QM

Deelvoorraad: 6159

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 9A, 10V,

Wenslys

TPCA8103(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8103(TE12L,Q,M

Deelvoorraad: 630

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys

SSM5N15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N15FE(TE85L,F)

Deelvoorraad: 164036

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Wenslys

TPC8021-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

Deelvoorraad: 614

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wenslys

TPCA8003-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8003-H(TE12LQM

Deelvoorraad: 635

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18A, 10V,

Wenslys

TPC8026(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8026(TE12L,Q,M)

Deelvoorraad: 726

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wenslys

TPC8022-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8022-H(TE12LQ,M

Deelvoorraad: 687

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 40V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wenslys

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Deelvoorraad: 677

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 18A, 10V,

Wenslys

TPC8038-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8038-H(TE12L,Q)

Deelvoorraad: 677

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 6A, 10V,

Wenslys

TPCP8001-H(TE85LFM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8001-H(TE85LFM

Deelvoorraad: 692

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 3.6A, 10V,

Wenslys

TPCA8A04-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A04-H(TE12L,Q

Deelvoorraad: 747

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 44A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 22A, 10V,

Wenslys

TPCA8031-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8031-H(TE12L,Q

Deelvoorraad: 612

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Wenslys

TPCF8102(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8102(TE85L,F,M

Deelvoorraad: 637

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wenslys

Toshiba Semiconductor and Storage

TK70D06J1(Q)

Deelvoorraad: 6092

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 60V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 70A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 35A, 10V,

Wenslys

SSM6J213FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J213FE(TE85L,F

Deelvoorraad: 116856

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wenslys

TPC8031-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8031-H(TE12LQM)

Deelvoorraad: 703

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wenslys

TPCP8005-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8005-H(TE85L,F

Deelvoorraad: 736

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wenslys

TPC8032-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8032-H(TE12LQM)

Deelvoorraad: 631

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wenslys

TPC8110(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

Deelvoorraad: 616

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 40V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 10V,

Wenslys

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P60W,RVQ

Deelvoorraad: 90358

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 600V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wenslys

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8P60W5,RVQ

Deelvoorraad: 102262

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 600V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4A, 10V,

Wenslys

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20J60U(F)

Deelvoorraad: 12228

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 600V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Wenslys

741

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»