Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Transistors - FET's, MOSFET's - Enkellopen

  • Tuiste
  •  
  • Transistors - FET's, MOSFET's - Enkellopen
SIS110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS110DN-T1-GE3

Deelvoorraad: 212

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 100V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 4A, 10V,

Wenslys
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

Deelvoorraad: 270

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 25V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 79A (Ta), 100A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys
SIRA80DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA80DP-T1-RE3

Deelvoorraad: 291

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys
SI7155DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7155DP-T1-GE3

Deelvoorraad: 220

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 40V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E1

Deelvoorraad: 139882

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wenslys
SIR626DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR626DP-T1-RE3

Deelvoorraad: 81219

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 60V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys
SIR167DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR167DP-T1-GE3

Deelvoorraad: 225

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wenslys
SIA413ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA413ADJ-T1-GE3

Deelvoorraad: 219

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 12V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

Wenslys
SIS106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS106DN-T1-GE3

Deelvoorraad: 264

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 60V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), 16A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Wenslys
SI7137DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7137DP-T1-GE3

Deelvoorraad: 66464

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 25A, 10V,

Wenslys
SI4408DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4408DY-T1-GE3

Deelvoorraad: 41762

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V,

Wenslys
SI4423DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-GE3

Deelvoorraad: 57367

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Wenslys
SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS42DN-T1-GE3

Deelvoorraad: 256

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 100V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11.8A (Ta), 40.5A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wenslys
SI4431BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4431BDY-T1-GE3

Deelvoorraad: 148689

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wenslys
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB417EDK-T1-GE3

Deelvoorraad: 176135

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 8V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wenslys
SI4866DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4866DY-T1-GE3

Deelvoorraad: 69518

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 12V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V,

Wenslys
SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR392DP-T1-GE3

Deelvoorraad: 257

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 82A (Ta), 100A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62 mOhm @ 20A, 10V,

Wenslys
SI4862DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4862DY-T1-E3

Deelvoorraad: 41807

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 16V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wenslys
SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-GE3

Deelvoorraad: 64945

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 100V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

Wenslys
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA110DJ-T1-GE3

Deelvoorraad: 258

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 100V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), 12A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

Wenslys
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix

SI8401DB-T1-E3

Deelvoorraad: 66637

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wenslys
SI4436DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4436DY-T1-GE3

Deelvoorraad: 176138

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 60V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wenslys
SI4864DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-E3

Deelvoorraad: 32930

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wenslys
SI7862ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-E3

Deelvoorraad: 30529

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 16V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Wenslys
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7423DN-T1-E3

Deelvoorraad: 103399

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11.7A, 10V,

Wenslys
SI4864DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4864DY-T1-GE3

Deelvoorraad: 32968

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 4.5V,

Wenslys
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

Deelvoorraad: 192126

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wenslys
SISH129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH129DN-T1-GE3

Deelvoorraad: 261

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 14.4A (Ta), 35A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

Wenslys
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-GE3

Deelvoorraad: 132089

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wenslys
SI4413DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413DDY-T1-GE3

Deelvoorraad: 225

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wenslys
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1022R-T1-GE3

Deelvoorraad: 149176

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 60V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V,

Wenslys
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4413ADY-T1-GE3

Deelvoorraad: 57351

VOO-tipe: P-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Wenslys
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7326DN-T1-E3

Deelvoorraad: 199704

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wenslys
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA106DJ-T1-GE3

Deelvoorraad: 209

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 60V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 12A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 4A, 10V,

Wenslys
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

Deelvoorraad: 199675

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 20V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wenslys
SI4442DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-E3

Deelvoorraad: 44342

VOO-tipe: N-Channel, Tegnologie: MOSFET (Metal Oxide), Dreineer na bronspanning (Vdss): 30V, Stroom - Deurlopende dreinering (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Aandryfspanning (maksimum Rds aan, min Rds aan): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V,

Wenslys