Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Diodes - Zener - Enkellopend

  • Tuiste
  •  
  • Diodes - Zener - Enkellopend
BZV55B6V2 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B6V2 L0G

Deelvoorraad: 208

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 100mA,

Wenslys
BZT55B9V1 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B9V1 L1G

Deelvoorraad: 210

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 9.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZV55C33 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C33 L0G

Deelvoorraad: 154

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 33V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 24V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT55B10 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B10 L1G

Deelvoorraad: 253

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT55B33 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B33 L1G

Deelvoorraad: 157

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 33V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 24V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT55C6V8 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C6V8 L0G

Deelvoorraad: 225

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 8 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 3V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C27 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C27 RFG

Deelvoorraad: 202

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 27V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 18.9V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B2V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7S RRG

Deelvoorraad: 234

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.7V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 18µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C62 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62 RHG

Deelvoorraad: 224

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 62V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 215 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C36 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C36 RFG

Deelvoorraad: 200

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 25.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3S RRG

Deelvoorraad: 238

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 95 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C5V1 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C5V1 RFG

Deelvoorraad: 181

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 60 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16-G RHG

Deelvoorraad: 197

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 16V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 11.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B75 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75 RHG

Deelvoorraad: 204

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 75V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 255 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B36-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36-G RHG

Deelvoorraad: 245

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 25.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C36S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36S RRG

Deelvoorraad: 215

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 25.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B75S RRG

Deelvoorraad: 230

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 75V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 255 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C13 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C13 RFG

Deelvoorraad: 167

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 13V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B10S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B10S RRG

Deelvoorraad: 254

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 180nA @ 7V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B6V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2S RRG

Deelvoorraad: 190

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C43-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43-G RHG

Deelvoorraad: 222

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 32V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5S RRG

Deelvoorraad: 189

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 900nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C4V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7-G RHG

Deelvoorraad: 235

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C20 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C20 RFG

Deelvoorraad: 187

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 20V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 55 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 14V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7S RRG

Deelvoorraad: 182

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6S RRG

Deelvoorraad: 173

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 900nA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B11S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11S RRG

Deelvoorraad: 229

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 90nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C68 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68 RHG

Deelvoorraad: 192

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 68V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 240 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C30K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30K RKG

Deelvoorraad: 172

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 23V,

Wenslys
BZX584B6V8 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V8 RSG

Deelvoorraad: 237

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C3V6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V6 RFG

Deelvoorraad: 190

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11-G RHG

Deelvoorraad: 192

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C4V3K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3K RKG

Deelvoorraad: 243

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 1V,

Wenslys
BZT52C56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56S RRG

Deelvoorraad: 230

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 56V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 200 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B3V9S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V9S RRG

Deelvoorraad: 222

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.9V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C11 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11 RHG

Deelvoorraad: 191

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 90nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys