Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Diodes - Zener - Enkellopend

  • Tuiste
  •  
  • Diodes - Zener - Enkellopend
BZT52C6V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2-G RHG

Deelvoorraad: 234

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX584B5V1 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V1 RSG

Deelvoorraad: 224

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 60 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C39 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39 RHG

Deelvoorraad: 252

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 39V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 130 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 27.3V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C43K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43K RKG

Deelvoorraad: 225

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 150 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 33V,

Wenslys
BZT52B56S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B56S RRG

Deelvoorraad: 199

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 56V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 200 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C15K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15K RKG

Deelvoorraad: 256

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 15V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 11V,

Wenslys
BZT52B11 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11 RHG

Deelvoorraad: 174

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 90nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B5V6 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6 RHG

Deelvoorraad: 195

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 900nA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C16 RFG

Deelvoorraad: 185

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 16V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 11.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C9V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1-G RHG

Deelvoorraad: 198

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 9.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 500nA @ 6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B22-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B22-G RHG

Deelvoorraad: 228

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 22V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 55 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 15.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C2V7K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7K RKG

Deelvoorraad: 233

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 120µA @ 1V,

Wenslys
BZT52C5V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1-G RHG

Deelvoorraad: 196

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 60 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V9S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9S RRG

Deelvoorraad: 217

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.9V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B6V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2-G RHG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B51 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B51 RHG

Deelvoorraad: 193

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 51V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 180 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 35.7V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C5V1 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1 RHG

Deelvoorraad: 170

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 60 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1.8µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V9-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9-G RHG

Deelvoorraad: 240

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.9V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C22K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22K RKG

Deelvoorraad: 246

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 22V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 55 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 17V,

Wenslys
BZX584B8V2 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B8V2 RSG

Deelvoorraad: 227

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 8.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 700nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C3V3 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V3 RFG

Deelvoorraad: 224

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 95 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 5µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C9V1 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C9V1 RFG

Deelvoorraad: 254

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 9.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 500nA @ 6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C2V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7S RRG

Deelvoorraad: 252

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 18µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C27S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27S RRG

Deelvoorraad: 178

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 27V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 18.9V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C13K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13K RKG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 13V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 10V,

Wenslys
BZT52C3V0-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0-G RHG

Deelvoorraad: 213

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 95 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 10µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B68 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B68 RHG

Deelvoorraad: 172

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 68V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 240 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B62 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B62 RHG

Deelvoorraad: 192

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 62V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 215 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C2V4 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C2V4 RFG

Deelvoorraad: 218

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.4V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 50µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B6V8S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8S RRG

Deelvoorraad: 243

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1.8µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C8V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2S RRG

Deelvoorraad: 207

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 8.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 630nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B10-G RHG

Deelvoorraad: 232

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 7V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C24S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24S RRG

Deelvoorraad: 226

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 70 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 16.8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C5V6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C5V6 RFG

Deelvoorraad: 192

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B5V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6-G RHG

Deelvoorraad: 180

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V0 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0 RHG

Deelvoorraad: 181

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 9µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys