Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Diodes - Zener - Enkellopend

  • Tuiste
  •  
  • Diodes - Zener - Enkellopend
BZT52B7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5-G RHG

Deelvoorraad: 200

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C10K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10K RKG

Deelvoorraad: 189

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 7V,

Wenslys
BZT52B30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30S RRG

Deelvoorraad: 262

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 21V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C6V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C6V2 RFG

Deelvoorraad: 191

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C16 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16 RHG

Deelvoorraad: 215

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 16V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 11.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8 RHG

Deelvoorraad: 178

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1.8µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B51S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B51S RRG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 51V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 180 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 35.7V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C75S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75S RRG

Deelvoorraad: 261

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 75V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 255 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX584B9V1 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B9V1 RSG

Deelvoorraad: 212

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 9.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 500nA @ 6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C56K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56K RKG

Deelvoorraad: 211

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 56V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 200 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 43V,

Wenslys
BZT52B43-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43-G RHG

Deelvoorraad: 175

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 130 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 29.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C36 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36 RHG

Deelvoorraad: 228

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 25.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B27-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27-G RHG

Deelvoorraad: 203

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 27V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 18.9V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B24 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24 RHG

Deelvoorraad: 198

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 70 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 16.8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C5V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6S RRG

Deelvoorraad: 266

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 900nA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C5V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1K RKG

Deelvoorraad: 181

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 60 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 1.5V,

Wenslys
BZT52B13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13S RRG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 13V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 90nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B4V3 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3 RHG

Deelvoorraad: 207

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.3V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22S RRG

Deelvoorraad: 189

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 22V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 55 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 15.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C39 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C39 RFG

Deelvoorraad: 187

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 39V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 130 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 27.3V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V6S RRG

Deelvoorraad: 230

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.6V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12-G RHG

Deelvoorraad: 180

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 12V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 25 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33S RRG

Deelvoorraad: 266

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 33V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 23V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C33 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C33 RFG

Deelvoorraad: 219

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 33V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 23.1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C3V9 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V9 RFG

Deelvoorraad: 223

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.9V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B16S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16S RRG

Deelvoorraad: 180

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 16V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 11.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B5V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1-G RHG

Deelvoorraad: 175

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 60 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B27S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27S RRG

Deelvoorraad: 178

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 27V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 18.9V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43S RRG

Deelvoorraad: 259

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 150 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B15-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15-G RHG

Deelvoorraad: 214

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 15V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 10.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C24-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24-G RHG

Deelvoorraad: 183

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 70 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 16.8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C27-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27-G RHG

Deelvoorraad: 198

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 27V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 18.9V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43S RRG

Deelvoorraad: 167

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 150 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C4V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7 RHG

Deelvoorraad: 174

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V9 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9 RHG

Deelvoorraad: 205

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.9V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C2V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7 RHG

Deelvoorraad: 185

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 18µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys