Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Diodes - Zener - Enkellopend

  • Tuiste
  •  
  • Diodes - Zener - Enkellopend
BZX84C11 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C11 RFG

Deelvoorraad: 250

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62S RRG

Deelvoorraad: 180

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 62V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 215 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B62S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B62S RRG

Deelvoorraad: 209

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 62V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 215 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V6K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6K RKG

Deelvoorraad: 257

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 10µA @ 1V,

Wenslys
BZT52C2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4S RRG

Deelvoorraad: 177

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.4V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B30 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30 RHG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 21V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C36K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36K RKG

Deelvoorraad: 204

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 36V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 27V,

Wenslys
BZT52C43 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43 RHG

Deelvoorraad: 241

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 150 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C7V5 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C7V5 RFG

Deelvoorraad: 238

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C18 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C18 RFG

Deelvoorraad: 179

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 18V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 45 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 12.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16-G RHG

Deelvoorraad: 214

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 16V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 11.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX584B5V6 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V6 RSG

Deelvoorraad: 193

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C75K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75K RKG

Deelvoorraad: 230

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 75V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 255 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 57V,

Wenslys
BZT52C68K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68K RKG

Deelvoorraad: 180

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 68V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 240 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 52V,

Wenslys
BZT52B7V5S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5S RRG

Deelvoorraad: 234

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 900nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX584B6V2 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V2 RSG

Deelvoorraad: 210

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C5V6K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6K RKG

Deelvoorraad: 171

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 5.6V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 2.5V,

Wenslys
BZT52B47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47S RRG

Deelvoorraad: 248

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 47V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 170 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 33V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8-G RHG

Deelvoorraad: 247

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C15 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C15 RFG

Deelvoorraad: 194

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 15V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 10.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47S RRG

Deelvoorraad: 176

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 47V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 170 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 33V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B2V4S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4S RRG

Deelvoorraad: 195

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.4V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZD27C24P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C24P RQG

Deelvoorraad: 225

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24.2V, Verdraagsaamheid: ±5.78%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 18V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C220P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220P RQG

Deelvoorraad: 203

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 220.5V, Verdraagsaamheid: ±5.66%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 900 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 160V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C68PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHRQG

Deelvoorraad: 179

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 68V, Verdraagsaamheid: ±5.88%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 51V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD17C12P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P RQG

Deelvoorraad: 266

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 12V, Verdraagsaamheid: ±5.41%, Krag - Maks: 800mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 7 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 9.1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C13PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C13PHRQG

Deelvoorraad: 242

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 13.25V, Verdraagsaamheid: ±6.41%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 10V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C43P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43P RQG

Deelvoorraad: 197

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 43V, Verdraagsaamheid: ±6.97%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 45 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 33V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C20PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C20PHRQG

Deelvoorraad: 268

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 20V, Verdraagsaamheid: ±6%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 15V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C100P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P RQG

Deelvoorraad: 173

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 100V, Verdraagsaamheid: ±6%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 200 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 75V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C180P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180P RQG

Deelvoorraad: 221

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 179.5V, Verdraagsaamheid: ±6.4%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 450 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 130V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD17C18P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C18P RQG

Deelvoorraad: 257

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 18V, Verdraagsaamheid: ±6.38%, Krag - Maks: 800mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 13V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C39P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39P RQG

Deelvoorraad: 239

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 39V, Verdraagsaamheid: ±5.12%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 30V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C27P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27P RQG

Deelvoorraad: 245

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 27V, Verdraagsaamheid: ±7.03%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 20V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C62P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62P RQG

Deelvoorraad: 265

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 62V, Verdraagsaamheid: ±6.45%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 47V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys
BZD27C91PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C91PHRHG

Deelvoorraad: 264

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 90.5V, Verdraagsaamheid: ±6.07%, Krag - Maks: 1W, Impedansie (maksimum) (Zzt): 200 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 68V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1.2V @ 200mA,

Wenslys