Menu
AfrikaansAfrikaans
RFQS / Orde
0RFQS / Orde

Diodes - Zener - Enkellopend

  • Tuiste
  •  
  • Diodes - Zener - Enkellopend
BZT52B3V0S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V0S RRG

Deelvoorraad: 227

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 9µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C3V0K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0K RKG

Deelvoorraad: 204

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 50µA @ 1V,

Wenslys
BZT52B68S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B68S RRG

Deelvoorraad: 195

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 68V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 240 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C15-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15-G RHG

Deelvoorraad: 183

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 15V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 30 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 10.5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B8V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B8V2-G RHG

Deelvoorraad: 252

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 8.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 700nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C11S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11S RRG

Deelvoorraad: 255

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 11V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 90nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C30 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C30 RFG

Deelvoorraad: 250

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 21V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B12S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B12S RRG

Deelvoorraad: 216

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 12V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 25 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 90nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C6V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2S RRG

Deelvoorraad: 183

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.2V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 10 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZX84C4V3 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C4V3 RFG

Deelvoorraad: 222

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C10 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C10 RFG

Deelvoorraad: 205

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 200nA @ 7V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B3V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V3S RRG

Deelvoorraad: 173

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 3.3V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 95 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B4V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3S RRG

Deelvoorraad: 247

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.3V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B30-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30-G RHG

Deelvoorraad: 253

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 21V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C4V7K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7K RKG

Deelvoorraad: 264

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.7V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 1V,

Wenslys
BZT52B9V1 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B9V1 RHG

Deelvoorraad: 173

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 9.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 450nA @ 6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C12K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12K RKG

Deelvoorraad: 229

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 12V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 25 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 9V,

Wenslys
BZT52B8V2 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B8V2 RHG

Deelvoorraad: 169

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 8.2V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 630nA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B2V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7-G RHG

Deelvoorraad: 229

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 2.7V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 100 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 20µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C6V8 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C6V8 RFG

Deelvoorraad: 255

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B24-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24-G RHG

Deelvoorraad: 250

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 24V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 70 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 16.8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B18-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B18-G RHG

Deelvoorraad: 206

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 18V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 45 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 12.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C18-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18-G RHG

Deelvoorraad: 236

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 18V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 45 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 12.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5-G RHG

Deelvoorraad: 227

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C33 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33 RHG

Deelvoorraad: 185

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 33V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 23V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B9V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B9V1-G RHG

Deelvoorraad: 174

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 9.1V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 410mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 500nA @ 6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX584B7V5 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B7V5 RSG

Deelvoorraad: 256

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 7.5V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 150mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 5V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZX84C12 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C12 RFG

Deelvoorraad: 208

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 12V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 300mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 25 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 8V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C68S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68S RRG

Deelvoorraad: 266

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 68V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 240 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8-G RHG

Deelvoorraad: 217

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 6.8V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 15 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 2µA @ 4V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C10S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10S RRG

Deelvoorraad: 205

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 10V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 20 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 180nA @ 7V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52B20S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20S RRG

Deelvoorraad: 174

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 20V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 55 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 14V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys
BZT52C51K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C51K RKG

Deelvoorraad: 247

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 51V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 200mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 180 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 1µA @ 39V,

Wenslys
BZT52C30-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30-G RHG

Deelvoorraad: 172

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 30V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 80 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 100nA @ 21V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52C4V3-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3-G RHG

Deelvoorraad: 257

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 4.3V, Verdraagsaamheid: ±5%, Krag - Maks: 350mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 90 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 3µA @ 1V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 900mV @ 10mA,

Wenslys
BZT52B16 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16 RHG

Deelvoorraad: 227

Spanning - Zener (nom.) (Vz): 16V, Verdraagsaamheid: ±2%, Krag - Maks: 500mW, Impedansie (maksimum) (Zzt): 40 Ohms, Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr: 45nA @ 11.2V, Spanning - vorentoe (Vf) (maks.) @ As: 1V @ 10mA,

Wenslys